MICROCHIP TECHNOLOGY
APT56F50B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 500 V 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 220 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 780W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT38F80B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 800 V 41A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 240 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8070 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT5010B2FLLG
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 N 通道 500 V 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4360 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 520W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT29F100B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 1000 V 30A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 440 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT56M50B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 500 V 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 220 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 780W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT75M50B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 N 通道 500 V 75A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 37A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 290 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 11600 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT31M100B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 1000 V 32A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 380 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT24M120B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 N 通道 1200 V 24A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 630 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8370 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT75F50B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 500 V 75A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 37A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 290 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 11600 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT66F60B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 600 V 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13190 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1135W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式