MICROCHIP TECHNOLOGY

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MSMBJ16CAE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 26V 夹子 23.1A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳

双向通道: 1

电压 - 反向断态（典型值）: 16V

电压 - 击穿（最小值）: 17.8V

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V

电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.1A

库存数量:

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MSMBJ16CATR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 26V 夹子 23.1A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳

双向通道: 1

电压 - 反向断态（典型值）: 16V

电压 - 击穿（最小值）: 17.8V

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V

电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.1A

库存数量:

库存数量:

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MSMBJ16CA

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 26V 夹子 23.1A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳

双向通道: 1

电压 - 反向断态（典型值）: 16V

电压 - 击穿（最小值）: 17.8V

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V

电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.1A

库存数量:

库存数量:

询价

MASMBJ16CA

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 26V 夹子 23.1A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳

双向通道: 1

电压 - 反向断态（典型值）: 16V

电压 - 击穿（最小值）: 17.8V

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V

电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.1A

库存数量:

库存数量:

询价

MASMBJ16CAE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 26V 夹子 23.1A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳

双向通道: 1

电压 - 反向断态（典型值）: 16V

电压 - 击穿（最小值）: 17.8V

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V

电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.1A

库存数量:

库存数量:

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SMBJ180AE3TR13

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 夹子 Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳

单向通道: 1

电压 - 反向断态（典型值）: 180V

电压 - 击穿（最小值）: -

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: -

电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): -

库存数量:

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SAM9X60D1G-ILZB

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: ARM926EJ-S 微处理器 IC SAM9X 1 核，32 位 600MHz

核心处理器: ARM926EJ-S

内核数/总线宽度: 1 核，32 位

速度: 600MHz

协处理器/DSP: -

RAM 控制器: DDR2，LPDDR，LPSDR，SRAM

图形加速: 是

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SAM9X75D2GN4-IM4B

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: SAM9X7 嵌入式模块 ARM926EJ-S 800MHz 2GB 4GB（NAND）

模块/板类型: -

核心处理器: ARM926EJ-S

协处理器: -

速度: 800MHz

闪存大小: 4GB（NAND）

RAM 大小: 2GB

库存数量:

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