MICROCHIP TECHNOLOGY
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 16 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 16 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 12.2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)
供应商器件封装: DO-213AB(MELF,LL41)
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 300mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 100 mA
速度: 快速恢复 = 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 20 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 5pF @ 0V,1MHz
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500/578
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-SMD,无引线
供应商器件封装: U3(SMD-0.5)
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
技术: 肖特基,反极性
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 15A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 15 A
速度: 快速恢复 = 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 600pF @ 5V,1MHz
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500/679
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-SMD,无引线
供应商器件封装: U3(SMD-0.5)
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500/427
安装类型: 通孔
封装/外壳: A,轴向
供应商器件封装: A,轴向
工作温度 - 结: -65°C ~ 200°C