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TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION

BZT52C68KRKG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 68 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 240 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 52 V 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523F

BZT52C68

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 68 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 240 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 47.6 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52C68S

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 68 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 240 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 47.6 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C68-G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 68 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 240 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 47.6 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52C68K

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 68 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 240 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 52 V 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523F

1N4448WSRRG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 100 V 150mA 表面贴装型 SOD-323F

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

1N4448WSR9G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 100 V 150mA 表面贴装型 SOD-323F

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

BZT52C30SR9G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C30-GRHG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C30KRKG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 23 V 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523F