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TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION

BZT52C30RHG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52C30S

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C30

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52C30-G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C30K

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 23 V 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523F

TSM150P04LCSRLG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 22A（Tc） 12.5W（Tc） 8-SOP

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 48 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2783 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 12.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

1N4746A

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 18 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）

SMBJ10CA

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 17V 夹子 35.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMB）

类型: - 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 10V 电压 - 击穿（最小值）: 11.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 17V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.3A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 是 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）

SMBJ10CAH

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 17V 夹子 37A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMB）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 10V 电压 - 击穿（最小值）: 11.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 17V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 37A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）

P6KE51CA

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 70.1V 夹子 8.6A Ipp TVS - 二极管 通孔 DO-15

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 43.6V 电压 - 击穿（最小值）: 48.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 70.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 8.6A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AC，DO-15，轴向 供应商器件封装: DO-15