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TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION

BZT52C12SRRG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C12SR9G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C12-GRHG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C12KRKG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523F

BZT52C12RHG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52C12

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52C12S

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C12-G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C12K

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523F

MMBT2222ARFG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23