TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION

MMBT2222AHRFG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 10nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值: 350 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

TQL851CSV50RLG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 电压调整器
数据:

简介: PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 500mA 8-SOP-EP

输出配置: 正 输出类型: 固定 稳压器数: 1 电压 - 输入(最大值): 50V 电压 - 输出(最小值/固定): 5V 电压 - 输出(最大值): - 电压降(最大值): 0.425V @ 250mA 电流 - 输出: 500mA 电流 - 静态 (Iq): 60 µA PSRR: 59dB(100Hz) 控制特性: 使能 保护功能: 超温 工作温度: -40°C ~ 125°C(TA) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q100 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)祼焊盘 供应商器件封装: 8-SOP-EP

BZT52C3V3-GRHG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.3 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C3V3RHG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.3 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4.5 µA @ 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52C3V3SR9G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.3 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4.5 µA @ 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90,SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C3V3KRKG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.3 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1 V 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79,SOD-523 供应商器件封装: SOD-523F

BZT52C3V3S

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.3 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4.5 µA @ 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90,SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C3V3

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.3 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4.5 µA @ 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52C3V3-G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.3 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C3V3K

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.3 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1 V 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79,SOD-523 供应商器件封装: SOD-523F