FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 440 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6.5V @ 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 140 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7200 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1000W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-264AA（IXFK） 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA