IXYS
IXFN26N90
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 底座安装 N 通道 900 V 26A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 300 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 600W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
IXTP42N15T
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 150 V 42A（Tc） 200W（Tc） TO-220-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1880 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 200W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 300 V
电流 - 平均整流 (Io): 15A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.68 V @ 15 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 300 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: TO-220AC
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
IXTY48P05T
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 50 V 48A（Tc） 150W（Tc） TO-252AA
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 30 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3660 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IXTY26P10T
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 100 V 26A（Tc） 150W（Tc） TO-252AA
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3820 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IXTY15P15T
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 150 V 15A（Tc） 150W（Tc） TO-252AA
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 240 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3650 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IXTY10P15T
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 150 V 10A（Tc） 83W（Tc） TO-252AA
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 350 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2210 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IXTY32P05T
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 50 V 32A（Tc） 83W（Tc） TO-252AA
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 39 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1975 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IXFH12N100F
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 1000 V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.05 欧姆 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD（IXFH）
封装/外壳: TO-247-3
IXTX200N10L2
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 N 通道 100 V 200A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247™-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 540 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 23000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3 变式