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VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

BZT52B27-HE3_A-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 27 V 300 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 300 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 20 V 工作温度: 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52B27-HE3_A-18

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 27 V 300 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 300 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 20 V 工作温度: 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52B27-G3-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 27 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 20 V 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52B27-G3-18

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 27 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 20 V 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52B27-E3-18

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 27 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 20 V 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

SMBJ12A-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 19.9V 夹子 30.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 30.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ12CA-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 19.9V 夹子 30.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 30.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ30A-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 48.4V 夹子 12.4A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 48.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.4A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ30CA-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 48.4V 夹子 12.4A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 48.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.4A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ30D-M3H

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 47.7V 夹子 12.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 47.7V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.6A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）