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VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

SMBJ30CA-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 48.4V 夹子 12.4A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 48.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.4A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ12A-M35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 19.9V 夹子 30.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 30.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ12D-M3H

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 19.6V 夹子 30.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 30.6A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ12D-M3I

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 19.6V 夹子 30.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 30.6A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ12CD-M3H

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 19.6V 夹子 30.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 30.6A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SM6T36CA-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 49.9V 夹子 12A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30.8V 电压 - 击穿（最小值）: 34.2V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 49.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SM6T36CA-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 49.9V 夹子 12A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30.8V 电压 - 击穿（最小值）: 34.2V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 49.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ30CD-M3I

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 47.7V 夹子 12.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 47.7V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.6A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ30CD-M3H

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 47.7V 夹子 12.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 47.7V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.6A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ30A-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 48.4V 夹子 12.4A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 48.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.4A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）