VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

SMBJ12A-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 19.9V 夹子 30.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 30.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ12CD-M3I

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 19.6V 夹子 30.6A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 30.6A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ30A-M352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 48.4V 夹子 12.4A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 48.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.4A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SM6T22CA-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 30.6V 夹子 20A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 18.8V 电压 - 击穿（最小值）: 20.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 30.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 20A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ30CA-M352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 48.4V 夹子 12.4A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 48.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.4A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SM6T36CAHE3_AI

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 49.9V 夹子 12A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30.8V 电压 - 击穿（最小值）: 34.2V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 49.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ30AHE3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 48.4V 夹子 12.4A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 48.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.4A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ12CA-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 19.9V 夹子 30.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 30.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SM6T22A-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 30.6V 夹子 20A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 18.8V 电压 - 击穿（最小值）: 20.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 30.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 20A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SM6T36A-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 49.9V 夹子 12A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30.8V 电压 - 击穿（最小值）: 34.2V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 49.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）