VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

SMBJ12A-M352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 19.9V 夹子 30.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 12V 电压 - 击穿（最小值）: 13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 19.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 30.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ30AHE3_BH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 48.4V 夹子 12.4A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMB）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 48.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.4A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 电信不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）

VESD05C1-02VHG3-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 11.5V 夹子 8.7A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SOD-523

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大）电压 - 击穿（最小值）: 6.85V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 11.5V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 8.7A（8/20µs）功率 - 峰值脉冲: 100W 电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: 67pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523

VESD05C1-02V-G3-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 11.5V 夹子 8.7A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SOD-523

VESD05C1-HD1-G3-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 11.5V 夹子 8.7A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DFN1006-2A

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大）电压 - 击穿（最小值）: 7.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 11.5V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 8.7A（8/20µs）功率 - 峰值脉冲: 100W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: 67pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 0402（1006 公制）供应商器件封装: DFN1006-2A

VESD05C1-HD1HG3-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 11.5V 夹子 8.7A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DFN1006-2A

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大）电压 - 击穿（最小值）: 7.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 11.5V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 8.7A（8/20µs）功率 - 峰值脉冲: 100W 电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: 67pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 0402（1006 公制）供应商器件封装: DFN1006-2A

VESD05C-FC1-GS08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 12V 夹子 10A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 1005 覆晶

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 5V 电压 - 击穿（最小值）: 6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 12V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 10A（8/20µs）功率 - 峰值脉冲: 120W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: 75pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 4-UFBGA，FCBGA 供应商器件封装: 1005 覆晶

1N4728A-TR

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1.3 W 阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: 175°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）

SM8S33AHE3_AI

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-218AB

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW）电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-218AB 供应商器件封装: DO-218AB

SMAJ20CA-E361

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 32.4V 夹子 12.3A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AC（SMA）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 20V 电压 - 击穿（最小值）: 22.2V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 32.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12.3A 功率 - 峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）