VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
TPSMC15AHE3_AI
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 21.2V 夹子 70.8A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 12.8V
电压 - 击穿（最小值）: 14.3V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 21.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 70.8A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: -
不同频率时电容: -
工作温度: -65°C ~ 185°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
SMCJ70A-M39AT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 113V 夹子 13.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMC）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 70V
电压 - 击穿（最小值）: 77.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 113V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.3A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
SMCJ70A-M357T
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 113V 夹子 13.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMC）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 70V
电压 - 击穿（最小值）: 77.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 113V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.3A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
TPSMC15AHE357T
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 21.2V 夹子 70.8A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 12.8V
电压 - 击穿（最小值）: 14.3V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 21.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 70.8A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: -
不同频率时电容: -
工作温度: -65°C ~ 185°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
TPSMC15AHE3_AH
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 21.2V 夹子 70.8A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 12.8V
电压 - 击穿（最小值）: 14.3V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 21.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 70.8A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: -
不同频率时电容: -
工作温度: -65°C ~ 185°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
SMCJ70AHM3_AH
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 113V 夹子 13.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMC）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 70V
电压 - 击穿（最小值）: 77.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 113V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.3A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 电信
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
SMCJ70AHM3_AI
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 113V 夹子 13.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMC）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 70V
电压 - 击穿（最小值）: 77.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 113V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.3A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 电信
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
1N4148TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 75 V 300mA 通孔 DO-204AH（DO-35）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 300mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 8 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 nA @ 20 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
GBU8K-E345
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 桥式整流器 单相 标准 800 V 通孔 GBU
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 3.9 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 8 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-SIP，GBU
供应商器件封装: GBU
VS-MBR6045WT-N3
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC