VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
VS-MBR6045WTPBF
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC
MBR6045WT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 通孔 TO-247-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC
BZT52B13-E3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 13 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 10 V
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52B13-HE3_A-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 13 V 300 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 10 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52B13-G3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 13 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 10 V
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52B13-G3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 13 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 10 V
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52B13-HE3_A-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 13 V 300 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 10 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52B13-E3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 13 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 10 V
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
S1G-E361T
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 1.8 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 12pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
US1G-E361T
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C