VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

RS1G-E361T

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 150 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 10pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

VS-10BQ015-M35BT

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 15 V 1A 表面贴装型 DO-214AA（SMB）

技术: 肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 15 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 390 mV @ 2 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 15 V 不同 Vr、F 时电容: 390pF @ 5V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C

VS-10BQ015HM35BT

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 15 V 1A 表面贴装型 DO-214AA（SMB）

技术: 肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 15 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 330 mV @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 15 V 不同 Vr、F 时电容: 390pF @ 5V，1MHz 等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C

SMBJ28CA-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 45.5V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.5V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ28CA-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 45.5V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

SMBJ28CAHE3_BH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 45.4V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMB）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 电信不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）

SMBJ28CAHE3_BI

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 45.4V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMB）

SMBJ28CAHM3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 45.4V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMB）

SMBJ28CAHE3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 45.5V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.5V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ28CA-M35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 45.4V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）