VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

SMAJ64CAHM3_AI

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 103V 夹子 3.9A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AC（SMA）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 64V 电压 - 击穿（最小值）: 71.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 103V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.9A 功率 - 峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无应用: 电信不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）

ESH3C-M357T

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 150 V 3A 表面贴装型 DO-214AB（SMC）

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V 电流 - 平均整流 (Io): 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 3 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 40 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 150 V 不同 Vr、F 时电容: 70pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: DO-214AB（SMC）工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

SE40PD-M386A

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 200 V 2.4A 表面贴装型 TO-277A（SMPC）

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 2.4A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.05 V @ 2 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 2.2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 28pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-277，3-PowerDFN 供应商器件封装: TO-277A（SMPC）工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

SMB8J20CA-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 32.4V 夹子 24.7A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMB）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 20V 电压 - 击穿（最小值）: 22.2V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 32.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 24.7A 功率 - 峰值脉冲: 800W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）

VS-VSKJ7112

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:

简介: 二极管阵列 1 对共阳极 1200 V 40A 底座安装 ADD-A-PAK（3）

二极管配置: 1 对共阳极技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 40A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 mA @ 1200 V 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装封装/外壳: ADD-A-PAK（3）供应商器件封装: ADD-A-PAK®

S5A-M357T

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 50 V 5A 表面贴装型 DO-214AB（SMC）

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 50 V 电流 - 平均整流 (Io): 5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V @ 5 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 2.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 50 V 不同 Vr、F 时电容: 40pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: DO-214AB（SMC）工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

1N5239B-TR

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA 工作温度: 175°C 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）

LL4148-GS08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 75 V 300mA 表面贴装型 SOD-80 MiniMELF

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 300mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 50 mA 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80 供应商器件封装: SOD-80 MiniMELF 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C

LL4148-GS18

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 75 V 300mA 表面贴装型 SOD-80 MiniMELF

LL4148-M-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 100 V 300mA 表面贴装型 SOD-80 MiniMELF

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 300mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 50 mA 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 8 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 nA @ 20 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz 等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80 供应商器件封装: SOD-80 MiniMELF 工作温度 - 结: 175°C（最大）