VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
LL4148-M-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 100 V 300mA 表面贴装型 SOD-80 MiniMELF
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 300mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 50 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 8 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 nA @ 20 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
供应商器件封装: SOD-80 MiniMELF
工作温度 - 结: 175°C（最大）
S1G-E35AT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 1.8 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 12pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
US1G-E35AT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
MB6S-E380
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 桥式整流器 单相 标准 600 V 表面贴装型 TO-269AA（MBS）
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 500 mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 400 mA
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-269AA，4-BESOP
供应商器件封装: TO-269AA（MBS）
B6S-E380
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 桥式整流器 单相 标准 600 V 表面贴装型 TO-269AA（MBS）
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 500 mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 500 mA
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-269AA，4-BESOP
供应商器件封装: TO-269AA（MBS）
1N4740A-TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
1N4740A-TAP
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
SM15T68A-E357T
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 92V 夹子 16.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 58.1V
电压 - 击穿（最小值）: 64.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 92V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 16.3A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
SM15T68A-E39AT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 92V 夹子 16.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 58.1V
电压 - 击穿（最小值）: 64.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 92V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 16.3A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
SM15T68A-M39AT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 92V 夹子 16.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 58.1V
电压 - 击穿（最小值）: 64.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 92V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 16.3A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）