VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

BZT52C68-HE3_A-18

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 68 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 68 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 300 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 200 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 51 V 工作温度: 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C68-E3-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 68 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 68 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 200 Ohms 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C68-E3-18

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 68 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 68 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 200 Ohms 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 720 mV @ 5 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 720 mV @ 5 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: - 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: 150°C
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 720 mV @ 5 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 720 mV @ 5 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: - 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 工作温度 - 结: 150°C

SMAJ36CAHM3_AI

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 58.1V 夹子 6.9A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AC(SMA)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 6.9A 功率 - 峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无 应用: 电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: DO-214AC(SMA)