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VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

BZT52C30-G3-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C30-G3-18

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C30-HE3_A-18

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 300 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V 工作温度: 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C30-HE3_A-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 300 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V 工作温度: 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C30-E3-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C30-E3-18

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 30 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 22.5 V 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

1N4746A-TR

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 18 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 18 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1.3 W 阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）

SMBJ10CAHM3_AI

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 17V 夹子 35.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMB）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 10V 电压 - 击穿（最小值）: 11.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 17V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.3A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）

SMBJ10CAHM3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 17V 夹子 35.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMB）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 10V 电压 - 击穿（最小值）: 11.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 17V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.3A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）

SMBJ10CAHE3_AI

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 17V 夹子 35.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 10V 电压 - 击穿（最小值）: 11.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 17V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.3A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）