VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
BAS40-04-G3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 30 V
工作温度 - 结: 125°C（最大）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04-E3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 30 V
工作温度 - 结: 125°C（最大）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04-G3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 30 V
工作温度 - 结: 125°C（最大）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04-HE3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 30 V
工作温度 - 结: 125°C（最大）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
BAS40-04-HE3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 30 V
工作温度 - 结: 125°C（最大）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
1N4448TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 100 V 150mA 通孔 DO-204AH（DO-35）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 8 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
工作温度 - 结: 175°C（最大）