VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

VS-FC420SA10

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 底座安装 N 通道 100 V 435A（Tc） 652W（Tc） SOT-227

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 435A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.15 毫欧 @ 200A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 375 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17300 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 652W（Tc）工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 底座安装供应商器件封装: SOT-227 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC

VS-FC420SA15

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 底座安装 N 通道 150 V 400A（Tc） 909W（Tc） SOT-227

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.75 毫欧 @ 200A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.4V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 250 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13700 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 909W（Tc）工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 底座安装供应商器件封装: SOT-227 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC

VS-10BQ100-M35BT

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 100 V 1A 表面贴装型 DO-214AA（SMB）

技术: 肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 100 V 不同 Vr、F 时电容: 65pF @ 5V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

VS-10BQ100HM35BT

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 100 V 1A 表面贴装型 DO-214AA（SMB）

技术: 肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 750 mV @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 100 V 不同 Vr、F 时电容: 65pF @ 5V，1MHz 等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C