VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
BZT52C12-HE3_A-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 12 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-E3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-G3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-E3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-HE3_A-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-G3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-HE3_A-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-HE3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZX85C27-TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 27 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 20 V
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
BZX85C27-TAP
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 27 V 1.3 W ±7% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 20 V
工作温度: -
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）