NEXPERIA USA INC.
BZX84-C12,215
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
简介: 二极管 - 齐纳 12 V 250 mW ±5% 表面贴装型 TO-236AB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 250 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
BZX84-C12-QR
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
简介: 二极管 - 齐纳 12.05 V 250 mW ±5% 表面贴装型 TO-236AB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12.05 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 250 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
74LVC595ABQ,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 通用数字电路
简介: 换挡杆 移位寄存器 1 元件 8 位 16-DHVQFN（2.5x3.5）
逻辑类型: 移位寄存器
输出类型: 三态
元件数: 1
每个元件位数: 8
功能: 串行至并行，串行
电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-VFQFN 祼焊盘
供应商器件封装: 16-DHVQFN（2.5x3.5）
74LVC594ABQ,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 通用数字电路
简介: 换挡杆 移位寄存器 1 元件 8 位 16-DHVQFN（2.5x3.5）
逻辑类型: 移位寄存器
输出类型: 推挽式
元件数: 1
每个元件位数: 8
功能: 串行至并行，串行
电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-VFQFN 祼焊盘
供应商器件封装: 16-DHVQFN（2.5x3.5）
74HC123BQ,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 时基电路
简介: 单稳态多谐振荡器 65 ns 16-DHVQFN（2.5x3.5）
逻辑类型: 单稳态
独立电路: 2
施密特触发器输入: 无
传播延迟: 65 ns
电流 - 输出高、低: 5.2mA，5.2mA
电压 - 供电: 2 V ~ 6 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-VFQFN 祼焊盘
供应商器件封装: 16-DHVQFN（2.5x3.5）
74LVC595AD,118
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 通用数字电路
简介: 换挡杆 移位寄存器 1 元件 8 位 16-SO
逻辑类型: 移位寄存器
输出类型: 三态
元件数: 1
每个元件位数: 8
功能: 串行至并行，串行
电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 16-SO
74LVC594APW,118
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 通用数字电路
简介: 换挡杆 移位寄存器 1 元件 8 位 16-TSSOP
逻辑类型: 移位寄存器
输出类型: 推挽式
元件数: 1
每个元件位数: 8
功能: 串行至并行，串行
电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商器件封装: 16-TSSOP
PSMN4R2-40VSHX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: MOSFET - 阵列 40V 98A（Ta） 85W（Ta） 表面贴装型 LFPAK56D
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 98A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2590pF @ 25V
功率 - 最大值: 85W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-1205，8-LFPAK56
供应商器件封装: LFPAK56D
BUK9226-75A,118
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 75 V 45A（Tc） 114W（Tc） DPAK
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24.6 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3120 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 114W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PMLL4148L,135
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
简介: 二极管 75 V 200mA 表面贴装型 LLDS；MiniMelf
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 50 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 nA @ 20 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
供应商器件封装: LLDS；MiniMelf
工作温度 - 结: 200°C（最大）