NEXPERIA USA INC.
GAN039-650NTBJ
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A（Ta） 250W（Ta） CCPAK1212i
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 39 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1980 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: CCPAK1212i
封装/外壳: 12-BESOP（0.370，9.40mm 宽），裸焊盘
类型: 多路复用器
电路: 2 x 4：1
独立电路: 1
电流 - 输出高、低: 5.2mA，5.2mA
供电电压源: 单电源
电压 - 供电: 2V ~ 6V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 16-SO
类型: 多路复用器
电路: 2 x 4：1
独立电路: 1
电流 - 输出高、低: 5.2mA，5.2mA
供电电压源: 单电源
电压 - 供电: 2V ~ 6V
工作温度: -40°C ~ 125°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 16-SO
ES1GRX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 SOD-123W
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 400 nA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 14pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123W
供应商器件封装: SOD-123W
工作温度 - 结: 150°C（最大）
BCP52TF
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 1 A 140MHz 1.3 W 表面贴装型 SOT-223
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 63 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 1.3 W
频率 - 跃迁: 140MHz
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223
BAT54C,235
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
简介: 二极管阵列 1 对共阴极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: 150°C（最大）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
BAT54C-QVL
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
简介: 二极管阵列 1 对共阴极 30 V 200mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阴极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
BC817-16W,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 100mA，1V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: SOT-323
BC817-16W-QX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 100mA，1V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: SOT-323
74HC165D,653
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 通用数字电路
简介: 换挡杆 移位寄存器 1 元件 8 位 16-SO
逻辑类型: 移位寄存器
输出类型: 补充型
元件数: 1
每个元件位数: 8
功能: 并行或串行至串行
电压 - 供电: 2V ~ 6V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 16-SO