NEXPERIA USA INC.
74LVC125ABQ,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
简介: 缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-DHVQFN（2.5x3）
逻辑类型: 缓冲器，非反向
元件数: 4
每个元件位数: 1
输入类型: -
输出类型: 三态
电流 - 输出高、低: 24mA，24mA
电压 - 供电: 1.2V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 14-VFQFN 祼焊盘
供应商器件封装: 14-DHVQFN（2.5x3）
74HC165PW,118
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 通用数字电路
简介: 换挡杆 移位寄存器 1 元件 8 位 16-TSSOP
逻辑类型: 移位寄存器
输出类型: 补充型
元件数: 1
每个元件位数: 8
功能: 并行或串行至串行
电压 - 供电: 2V ~ 6V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
供应商器件封装: 16-TSSOP
PMEG10020ELRX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
简介: 二极管 100 V 2A 表面贴装型 SOD-123W
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 830 mV @ 2 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 3.7 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 150 nA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 70pF @ 1V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123W
供应商器件封装: SOD-123W
工作温度 - 结: 175°C（最大）
PMPB33XP,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 5.5A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 37 毫欧 @ 5.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1575 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D385-100EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 1.4A（Ta），3.7A（Tc） 2W（Ta），15W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Ta），3.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 385 毫欧 @ 1.5，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 195 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），15W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB27EP,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 6.1A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 29 毫欧 @ 6.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1570 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB14XNX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 8.1A（Ta） 3，8W（Ta），12，5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18毫欧 @ 8，1A，4，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1625 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3，8W（Ta），12，5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB95ENEAX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 2.8A（Ta） 1.6W（Ta），15.6W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 105 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 504 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta），15.6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D30-40EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 6A（Ta），18A（Tc） 2W（Ta），19W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 440 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），19W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
PMPB10XNEZ
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 20 V 9A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2175 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘