DIODES INCORPORATED
DMPH4015SK3-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 45A（Tc） 3.3W（Ta） TO-252（DPAK）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11 毫欧 @ 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4234 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.3W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252（DPAK）
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
ZXMP10A17KTC
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 100 V 2.4A（Ta） 2W（Ta） TO-252-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 350 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 424 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMP4047SK3-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 20A（Tc） 1.6W（Ta） TO-252-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1328 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMP6180SK3Q-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 60 V 14A（Tc） 1.7W（Ta） TO-252（DPAK）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 984.7 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252（DPAK）
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMP4010SK3Q-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 15A（Ta），50A（Tc） 1.7W（Ta） TO-252-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.9 毫欧 @ 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4234 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMP3025LK3-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 10.6A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 7.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 31.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1678 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.15W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMPH3010LK3Q-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 50A（Tc） 3.9W（Ta） TO-252（DPAK）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 139 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6807 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.9W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252（DPAK）
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MMBT2222A-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 310 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
MMBT2222ALP4-7B
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 460 mW 表面贴装型 X2-DFN1006-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 460 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-XFDFN
供应商器件封装: X2-DFN1006-3
MMBT2222A-7-F-W
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V
功率 - 最大值: 310 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3