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DIODES INCORPORATED

PDR5K-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

简介: 二极管 750 V 5A 表面贴装型 PowerDI™ 5

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 750 V 电流 - 平均整流 (Io): 5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 990 mV @ 5 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 750 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: PowerDI™ 5 供应商器件封装: PowerDI™ 5 工作温度 - 结: -65°C ~ 155°C

DESD5V0S1BB-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 14V 夹子 12A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-523

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: 5.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 14V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12A（8/20µs） 功率 - 峰值脉冲: 130W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: 35pF @ 1MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523

BAW156-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 二极管阵列
数据:

简介: 二极管阵列 1 对共阳极 85 V 140mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

二极管配置: 1 对共阳极 技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 85 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 140mA（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 50 mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间 (trr): 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA @ 75 V 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

1N4007-T

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-41

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C

SMAJ64CA-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 103V 夹子 3.9A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMA

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 64V 电压 - 击穿（最小值）: 71.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 103V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.9A 功率 - 峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: SMA

SMAJ64CAQ-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 103V 夹子 3.9A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMA

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 64V 电压 - 击穿（最小值）: 71.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 103V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.9A 功率 - 峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: SMA

SMAJ64CA-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 103V 夹子 3.9A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMA

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 64V 电压 - 击穿（最小值）: 71.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 103V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.9A 功率 - 峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: SMA

1N5239B-T

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装: DO-35

SMBJ36A-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 58.1V 夹子 10.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMB

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 36V 电压 - 击穿（最小值）: 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 10.3A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: SMB

1SMB5928B-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 13 V 3 W ±5% 表面贴装型 SMB

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 3 W 阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 9.9 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: SMB