DIODES INCORPORATED
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技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 750 V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 990 mV @ 5 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 3 µs
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）: 5.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 14V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12A（8/20µs）
| 库存数量: |
BAW156-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
数据:
简介: 二极管阵列 1 对共阳极 85 V 140mA（DC） 表面贴装型 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管配置: 1 对共阳极
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 85 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 140mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 50 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
| 库存数量: |
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 64V
电压 - 击穿（最小值）: 71.1V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 103V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.9A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 64V
电压 - 击穿（最小值）: 71.1V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 103V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.9A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 64V
电压 - 击穿（最小值）: 71.1V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 103V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.9A
| 库存数量: |
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
| 库存数量: |
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 36V
电压 - 击穿（最小值）: 40V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 58.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 10.3A
| 库存数量: |
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 9.9 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
| 库存数量: |