DIODES INCORPORATED
None
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: MOSFET(N 沟道)
电压 - 供电: 40V(最大)
| 库存数量: |
DigiKey 可编程: 未验证
驱动配置: 低端
通道类型: 单路
驱动器数: 1
栅极类型: MOSFET(N 沟道)
电压 - 供电: 40V(最大)
| 库存数量: |
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
| 库存数量: |
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
| 库存数量: |
MMST5551-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 200 mA 300MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 160 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 @ 10mA,5V
| 库存数量: |
MMST5551Q-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 200 mA 300MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 160 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 @ 10mA,5V
| 库存数量: |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 10 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
| 库存数量: |
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V
| 库存数量: |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 17 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 43V
电压 - 击穿(最小值): 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A
| 库存数量: |