DIODES INCORPORATED

ZXGD3009E6TA

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
数据:

简介: 低端栅极驱动器 IC 非反相 SOT-26

DigiKey 可编程: 未验证驱动配置: 低端通道类型: 单路驱动器数: 1 栅极类型: MOSFET（N 沟道）电压 - 供电: 40V（最大）逻辑电压 - VIL，VIH: - 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 1A，1A 输入类型: 非反相上升/下降时间（典型值）: 210ns，240ns 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26

ZXGD3009DYTA

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
数据:

简介: 低端栅极驱动器 IC 非反相 SOT-363

DigiKey 可编程: 未验证驱动配置: 低端通道类型: 单路驱动器数: 1 栅极类型: MOSFET（N 沟道）电压 - 供电: 40V（最大）逻辑电压 - VIL，VIH: - 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 500mA，500mA 输入类型: 非反相上升/下降时间（典型值）: 210ns，240ns 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: SOT-363

LL4148-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 75 V 150mA 表面贴装型迷你型 MELF

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V 电流 - 平均整流 (Io): 150mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80 供应商器件封装: 迷你型 MELF 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C

LL4148-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 75 V 150mA 表面贴装型迷你型 MELF

MMST5551-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 200 mA 300MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

MMST5551Q-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 200 mA 300MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

1N4740A-T

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 10 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装: DO-41

1N5819-B

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 40 V 1A 通孔 DO-41

技术: 肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V 不同 Vr、F 时电容: 110pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C

1N5231B-T

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 17 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装: DO-35

SMCJ43CA-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 69.4V 夹子 21.6A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SMC

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 43V 电压 - 击穿（最小值）: 47.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 69.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A 功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC