DIODES INCORPORATED

3.0SMCJ43CA-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 69.4V 夹子 43.2A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SMC

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 43V 电压 - 击穿（最小值）: 47.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 69.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 43.2A 功率 - 峰值脉冲: 3000W（3kW）电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

SMCJ43CA-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 69.4V 夹子 21.6A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SMC

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 43V 电压 - 击穿（最小值）: 47.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 69.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A 功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

SMCJ26CA-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 42.1V 夹子 35.6A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SMC

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 26V 电压 - 击穿（最小值）: 28.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 42.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.6A 功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

3.0SMCJ26CAQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 42.1V 夹子 71.3A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SMC

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 26V 电压 - 击穿（最小值）: 28.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 42.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 71.3A 功率 - 峰值脉冲: 3000W（3kW）电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

3.0SMCJ26CA-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 42.1V 夹子 71.3A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SMC

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 26V 电压 - 击穿（最小值）: 28.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 42.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 71.3A 功率 - 峰值脉冲: 3000W（3kW）电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

SMCJ26CAQ-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 42.1V 夹子 35.6A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SMC

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 26V 电压 - 击穿（最小值）: 28.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 42.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.6A 功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

SMCJ26CA-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 42.1V 夹子 35.6A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 SMC

DMN6040SFDE-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 5.3A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 38 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.4 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1287 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 660mW（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳: 6-PowerUDFN

DMP4047LFDE-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 3.3A（Ta） 700mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

FET 类型: P 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 4.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23.2 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1382 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 700mW（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳: 6-PowerUDFN

DMN2020UFCL-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 20 V 9A（Ta） 610mW（Ta） X1-DFN1616-6（E 类）

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21.5 nC @ 4.5 V Vgs（最大值）: ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1788 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 610mW（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: X1-DFN1616-6（E 类）封装/外壳: 6-PowerUFDFN