DIODES INCORPORATED
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类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 43V
电压 - 击穿（最小值）: 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 43.2A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 43V
电压 - 击穿（最小值）: 47.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 69.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.6A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 26V
电压 - 击穿（最小值）: 28.9V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 42.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.6A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 26V
电压 - 击穿（最小值）: 28.9V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 42.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 71.3A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 26V
电压 - 击穿（最小值）: 28.9V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 42.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 71.3A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 26V
电压 - 击穿（最小值）: 28.9V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 42.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.6A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 26V
电压 - 击穿（最小值）: 28.9V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 42.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.6A
| 库存数量: |
DMN6040SFDE-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 5.3A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 38 毫欧 @ 4.3A，10V
| 库存数量: |
DMP4047LFDE-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 3.3A（Ta） 700mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 4.4A，10V
| 库存数量: |
DMN2020UFCL-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 20 V 9A（Ta） 610mW（Ta） X1-DFN1616-6（E 类）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 9A，4.5V
| 库存数量: |