DIODES INCORPORATED

DMP3014SFDE-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 11.4A（Ta） 800mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

FET 类型: P 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13.5 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1015 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 800mW（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳: 6-PowerUDFN

DMN4020LFDE-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19.1 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1060 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 660mW（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）封装/外壳: 6-PowerUDFN

ZTX553

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 1 W 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: E-Line-3 供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）

ZTX551STZ

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 350mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 1 W 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: E-Line-3，成型引线供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）

ZTX455

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 140 V 1 A 100MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 140 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 1 W 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: E-Line-3 供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）

ZTX451

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 350mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 1 W 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: E-Line-3 供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）

ZTX453

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 1 W 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: E-Line-3 供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）

ZTX450

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 1 W 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: E-Line-3 供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）

BS107PSTZ

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 200 V 120mA（Ta） 500mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.6V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 30 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: - Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 85 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 通孔供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳: E-Line-3

ZTX696B

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 180 V 500 mA 70MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 180 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 5mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 150 @ 200mA，5V 功率 - 最大值: 1 W 频率 - 跃迁: 70MHz 工作温度: -55°C ~ 200°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: E-Line-3 供应商器件封装: E-Line（TO-92 兼容）