BOM上传  搜 索
热门： SMBJ180A 120LQ100 BTS740S2 TLE4269G 15CGQ100
在线客服

DIODES INCORPORATED

None

DMP3014SFDE-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 11.4A（Ta） 800mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

FET 类型:  P 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  11.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  13.5 毫欧 @ 11A，10V
库存数量:
询 价

DMN4020LFDE-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  20 毫欧 @ 8A，10V
库存数量:
询 价

ZTX553

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型:  PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:  1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:  100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:  250mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）:  100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:  40 @ 150mA，10V
库存数量:
询 价

ZTX551STZ

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型:  PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:  1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:  60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:  350mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）:  100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:  50 @ 150mA，10V
库存数量:
询 价

ZTX455

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 140 V 1 A 100MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型:  NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:  1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:  140 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:  700mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）:  100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:  100 @ 150mA，10V
库存数量:
询 价

ZTX451

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型:  NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:  1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:  60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:  350mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）:  100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:  50 @ 150mA，10V
库存数量:
询 价

ZTX453

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型:  NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:  1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:  100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:  700mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）:  100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:  40 @ 150mA，10V
库存数量:
询 价

ZTX450

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型:  NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:  1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:  45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:  250mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）:  100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:  100 @ 150mA，10V
库存数量:
询 价

BS107PSTZ

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 通孔 N 通道 200 V 120mA（Ta） 500mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）

FET 类型:  N 通道
技术:  MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:  200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):  120mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  2.6V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:  30 欧姆 @ 100mA，5V
库存数量:
询 价

ZTX696B

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 180 V 500 mA 70MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）

晶体管类型:  NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:  500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:  180 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:  250mV @ 5mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）:  100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:  150 @ 200mA，5V
库存数量:
询 价