DIODES INCORPORATED
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ZTX692B
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 70 V 1 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 70 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 10mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 400 @ 500mA，2V
| 库存数量: |
ZTX1048A
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 17.5 V 4 A 150MHz 1 W 通孔 E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 4 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 17.5 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 245mV @ 20mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 300 @ 1A，2V
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 16V
电压 - 击穿（最小值）: 17.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.1A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 16V
电压 - 击穿（最小值）: 17.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.1A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 16V
电压 - 击穿（最小值）: 17.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.1A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 180V
电压 - 击穿（最小值）: 200V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 291.6V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 2.06A
| 库存数量: |
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 180V
电压 - 击穿（最小值）: 200V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 291.6V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 2.06A
| 库存数量: |
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 150 V
| 库存数量: |
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 530 mV @ 5 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 150 µA @ 50 V
| 库存数量: |
