DIODES INCORPORATED
SBR3A40SA-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 40 V 3A 表面贴装型 SMA
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV @ 3 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 400 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: SMA
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
SBR2M100SAF-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 100 V 2A 表面贴装型 SMAF
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 780 mV @ 2 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA 扁平引线
供应商器件封装: SMAF
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
DDTC143ECA-7-F-W
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-23-3
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
包含电阻器: R1 和 R2
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 20 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
DDTC143ECA-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-23-3
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
包含电阻器: R1 和 R2
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 20 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
DMP6023LSS-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 60 V 6.6A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 53.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2569 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
配置: 1 对共阳极
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
ZXTP25040DFLTA
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 1.5 A 270MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1.5 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 300 @ 10mA，2V
功率 - 最大值: 350 mW
频率 - 跃迁: 270MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
ZXTP25040DFLTA-W
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
BZT52C12-13-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C12Q-7-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 12 V 370 mW ±5.42% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5.42%
功率 - 最大值: 370 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123