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DIODES INCORPORATED

BZT52C12-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C12S-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323

BZT52C12T-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 300 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523

BZT52C12Q-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 370 mW ±5.42% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5.42% 功率 - 最大值: 370 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C12TQ-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 300 mW ±5.4% 表面贴装型 SOD-523

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5.4% 功率 - 最大值: 300 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523

BZT52C12LP-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 250 mW ±5.39% 表面贴装型 X1-DFN1006-2

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5.39% 功率 - 最大值: 250 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 0402（1006 公制） 供应商器件封装: X1-DFN1006-2

BZT52C12SQ-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5.41% 表面贴装型 SOD-323

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5.41% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323

BZT52C12-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C12S-7

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323

BZT52C12-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123