DIODES INCORPORATED
SMAZ39-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 39 V 1 W ±5% 表面贴装型 SMA
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 39 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 29.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: SMA
SMBJ17AQ-13-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 27.6V 夹子 21.7A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMB
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 17V
电压 - 击穿（最小值）: 18.9V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 27.6V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.7A
功率 - 峰值脉冲: 600W
电源线路保护: 无
应用: -
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA，SMB
供应商器件封装: SMB
DMN3032LE-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 29 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 498 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-3
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
BAT760-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 30 V 1A 表面贴装型 SOD-323
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 550 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 15 V
不同 Vr、F 时电容: 25pF @ 5V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
