DIODES INCORPORATED
BZT52C30-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±7% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C30-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 30 V 500 mW ±7% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 30 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
二极管配置: 1 对共阳极
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 200mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: SOT-323
FMMT491AQTC
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Transistor SOT23 T&R 10K
FMMT491QTC
制造商: DIODES INCORPORATED分类:
简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Transistor SOT23 T&R 10K