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DIODES INCORPORATED

FJ2600024

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 振荡器和压电晶体 / 振荡器 / 石英晶体振荡器

简介: 振荡器 26 MHz CMOS XO（标准） 1.8V 启用/禁用 4-SMD，无引线

基本谐振器: 晶体 类型: XO（标准） 频率: 26 MHz 功能: 启用/禁用 输出: CMOS 电压 - 供电: 1.8V 频率稳定性: - 绝对牵引范围 (APR): - 工作温度: -40°C ~ 85°C 电流 - 供电（最大值）: 6mA 等级: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SMD，无引线 大小 / 尺寸: 0.098 长 x 0.079 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）: 0.039（1.00mm）

FJ2700024

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 振荡器和压电晶体 / 振荡器 / 石英晶体振荡器

简介: 振荡器 27 MHz CMOS XO（标准） 1.8V 启用/禁用 4-SMD，无引线

基本谐振器: 晶体 类型: XO（标准） 频率: 27 MHz 功能: 启用/禁用 输出: CMOS 电压 - 供电: 1.8V 频率稳定性: - 绝对牵引范围 (APR): - 工作温度: -40°C ~ 85°C 电流 - 供电（最大值）: 6mA 等级: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SMD，无引线 大小 / 尺寸: 0.098 长 x 0.079 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）: 0.039（1.00mm）

1N4003G-T

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-41

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C

1N4003GL-T

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 200 V 1A 通孔 DO-41

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C

SMCJ33CA-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:

简介: ESD保护二极管/TVS二极管 1500W 33.0V

SMCJ33CAQ-13-F

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:
数据:

简介: 53.3V 夹子 28.1A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMC

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 28.1A 功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

3.0SMCJ33CAQ-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 53.3V 夹子 56.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMC

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 56.3A 功率 - 峰值脉冲: 3000W（3kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

3.0SMCJ33CA-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 53.3V 夹子 56.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMC

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 56.3A 功率 - 峰值脉冲: 3000W（3kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

SMCJ33CA-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

简介: 53.3V 夹子 28.1A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMC

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 28.1A 功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB，SMC 供应商器件封装: SMC

DMN2005UFG-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类:

简介: MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W