DIODES INCORPORATED
BCP5616QTA
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2 W 表面贴装型 SOT-223-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
BCP5616TQTA
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2.5 W 表面贴装型 SOT-223-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 2.5 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
BCP5616TTC
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2.5 W 表面贴装型 SOT-223-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 2.5 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
BCP5616TQTC
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 150MHz 2.5 W 表面贴装型 SOT-223-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 2.5 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
BCP5616TC
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 125MHz 2 W 表面贴装型 SOT-223-3
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 125MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
DMG3401LSN-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 3A（Ta） 800mW（Ta） SC-59-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1326 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 800mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-59-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
B340-13-F
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 40 V 3A 表面贴装型 SMC
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV @ 3 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 200pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: SMC
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
PI6CG33401CZHIEX
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 频率合成器
数据:
简介: Clock Generator IC 100MHz 1 32-VFQFN Exposed Pad
DigiKey 可编程: 未验证
类型: 时钟发生器
PLL: 是
输入: CMOS，晶体
输出: HCSL
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 1：4
频率 - 最大值: 100MHz
分频器/倍频器: 无/无
电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 32-VFQFN 祼焊盘
供应商器件封装: 32-TQFN（5x5）
