DIODES INCORPORATED
DMP3027LFDEQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 8.5A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1142 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP2016UFDE-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 9.5A（Ta） 900mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 8 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1710 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 900mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP3027LFDE-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 30 V 8.5A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1142 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP2021UFDE-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 11.1A（Ta） 1.9W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 59 nC @ 8 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2760 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.9W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP2012UFDE-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 14A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9mOhm @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1686 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP2012UFDE-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 14A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9mOhm @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1686 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
BZT52C5V1-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±6% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C5V1S-7
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 5.1 V 200 mW ±6% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323