INFINEON TECHNOLOGIES

IR2108SPBF

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器

简介: 半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证 驱动配置: 半桥 通道类型: 独立式 驱动器数: 2 栅极类型: IGBT,MOSFET(N 沟道) 电压 - 供电: 10V ~ 20V 逻辑电压 - VIL,VIH: 0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 200mA,350mA 输入类型: 非反相 高压侧电压 - 最大值(自举): 600 V 上升/下降时间(典型值): 150ns,50ns 工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 供应商器件封装: 8-SOIC

IR2213PBF

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器

简介: 半桥 栅极驱动器 IC 非反相 14-DIP

DigiKey 可编程: 未验证 驱动配置: 半桥 通道类型: 独立式 驱动器数: 2 栅极类型: IGBT,MOSFET(N 沟道) 电压 - 供电: 12V ~ 20V 逻辑电压 - VIL,VIH: 6V,9.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 2A,2.5A 输入类型: 非反相 高压侧电压 - 最大值(自举): 1200 V 上升/下降时间(典型值): 25ns,17ns 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: 14-DIP(0.300,7.62mm) 供应商器件封装: 14-DIP

IRFR7540TRPBF

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet

FS150R17KE3G

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: IGBT 模块 1700V 150A 3-PHASE

CY8C4124FNI-S433T

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: ARM微控制器 - MCU PSoC4

S6E2GH6J0AGV2000A

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)

简介: ARM® Cortex®-M4F FM4 S6E2GH 微控制器 IC 32-位 180MHz 512KB(512K x 8) 闪存 176-LQFP(24x24)

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: ARM® Cortex®-M4F 内核规格: 32-位 速度: 180MHz 连接能力: CANbus,CSIO,EBI/EMI,I2C,LINbus,SD,智能卡,SPI,UART/USART,USB 外设: DMA,I2S,LVD,POR,PWM,WDT I/O 数: 121 程序存储容量: 512KB(512K x 8) 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 128K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 24x12b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 125°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 176-LQFP(24x24) 封装/外壳: 176-LQFP

FS150R17KE3GBOSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

简介: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1700 V 240 A 1050 W 底座安装 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 全桥 电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 240 A 功率 - 最大值: 1050 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.45V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值): 3 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.5 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

AIMDQ75R027M1HXUMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 750 V 64A(Tj) 273W(Tc) PG-HDSOP-22

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss): 750 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V,20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 @ 24.5A,20V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.6V @ 8.8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 49 nC @ 18 V Vgs(最大值): +23V,-5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1668 pF @ 500 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 273W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-HDSOP-22 封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块

TLS115D0EJXUMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: 低压差稳压器 OPTIREG LINEAR

TLS115D0EJDEMOBOARDTOBO1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: 电源管理IC开发工具 APS_OTHER