INFINEON TECHNOLOGIES
IAUCN04S7N056DATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: MOSFET - 阵列 40V 60A（Tj） 41W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-61
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.59 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 798pF @ 20V
功率 - 最大值: 41W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-61
IAUCN04S7N024DATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: MOSFET - 阵列 40V 60A（Tj） 72W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-60
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.49 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2067pF @ 20V
功率 - 最大值: 72W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-60
IAUCN04S7N019DATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: MOSFET - 阵列 40V 160A（Tj） 96W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-60
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.99 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 48nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3273pF @ 20V
功率 - 最大值: 96W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-60
IAUCN10S5L094DATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: MOSFET - 阵列 100V 66A（Tj） 96W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-60
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 66A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2180pF @ 50V
功率 - 最大值: 96W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-60
IRFR4105TRPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 27A（Tc） 68W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 68W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR4105ZTRRPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 30A（Tc） 48W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 48W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR4105TRL
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 27A（Tc） 68W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 68W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR4105TR
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 27A（Tc） 68W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 68W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 155°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR4105ZTRL
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 30A（Tc） 48W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 48W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR4105ZTRR
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 30A（Tc） 48W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 48W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63