INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFR4105ZTRL
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 20A（Tc） 48W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 48W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR4105TRR
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 27A（Tc） 68W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 68W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR4105Z
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 30A（Tc） 48W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 48W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR4105ZTRPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 30A（Tc） 48W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 48W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
94-4762
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 55 V 27A（Tc） 68W（Tc）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 68W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA (DPAK)
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BSZ097N10NS5ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2080 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），69W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BTS6142DAUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 其他模拟集成电路
简介: 电源开关/驱动器 1：1 N 通道 33A PG-TO252-5-11
开关类型: 通用
输出数: 1
比率 - 输入:输出: 1：1
输出配置: 高端
输出类型: N 通道
接口: 开/关
电压 - 负载: 5.5V ~ 38V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 不需要
电流 - 输出（最大值）: 33A
导通电阻（典型值）: 10 毫欧
输入类型: 非反相
特性: 带有自动重启功能
故障保护: 限流（固定），开路负载检测，超温，过压
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-5-11
封装/外壳: TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
PVT412PBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 继电器 / 固体继电器
简介: 固态 光电耦合继电器（光继电器） SPST-NO（1 Form A） 6-DIP（0.300，7.62mm）
安装类型: 通孔
继电器类型: 光电耦合继电器（光继电器）
电路: SPST-NO（1 Form A）
输出类型: AC，DC
电压 - 输入: 1.2VDC
电压 - 负载: 0 V ~ 400 V
负载电流: 140 mA
导通电阻（最大值）: 27 Ohms
端接样式: PC 引脚
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 6-DIP（0.300，7.62mm）
供应商器件封装: 6-DIP
认证机构: UL
等级: -
资质: -
IPW60R190C6FKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 630µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 151W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-1
封装/外壳: TO-247-3
S25FL256SAGMFV001
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
简介: FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 16-SOIC
DigiKey 可编程: 已验证
存储器类型: 非易失
存储器格式: 闪存
技术: FLASH - NOR
存储容量: 256Mb
存储器组织: 32M x 8
存储器接口: SPI - 四 I/O
时钟频率: 133 MHz
写周期时间 - 字，页: -
电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOIC