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INFINEON TECHNOLOGIES

BGSA12UGL8E6327XTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 微波半导体集成电路 / 开关

简介: 射频开关 IC CDMA，EDGE，LTE，W-CDMA SPDT PG-TSLP-8-1

射频类型: CDMA，EDGE，LTE，W-CDMA 拓扑: - 电路: SPDT 频率范围: - 隔离: - 插损: - 测试频率: - P1dB: 11.2dBm IIP3: - 特性: - 阻抗: - 电压 - 供电: 1.8V ~ 3.6V 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-XFLGA 供应商器件封装: PG-TSLP-8-1

CY9BF566LQN-G-AVE2

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)

简介: ARM® Cortex®-M4F FM4 MB9B560L 微控制器 IC 32-位 160MHz 544KB（544K x 8） 闪存 64-QFN（9x9）

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: ARM® Cortex®-M4F 内核规格: 32-位 速度: 160MHz 连接能力: CANbus，CSIO，I2C，LINbus，UART/USART，USB 外设: DMA，LVD，POR，PWM，WDT I/O 数: 48 程序存储容量: 544KB（544K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 64K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 15x12b; D/A 2x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 64-QFN（9x9） 封装/外壳: 64-VFQFN 祼焊盘

6EDL04I065NRXUMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 驱动器
数据:

简介: 半桥 栅极驱动器 IC 非反相 PG-TSSOP-25

DigiKey 可编程: - 驱动配置: 半桥 通道类型: 3 相 驱动器数: 6 栅极类型: IGBT 电压 - 供电: 10V ~ 25V 逻辑电压 - VIL，VIH: 1.1V，1.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 165mA，375mA 输入类型: 非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）: 650 V 上升/下降时间（典型值）: 60ns，26ns 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 25-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: PG-TSSOP-25

IAUAN04S7N005AUMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 50A（Ta），455A（Tj） 198W（Tc） PG-HSOF-5-1

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Ta），455A（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.51 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 110µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 143 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9820 pF @ 20 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 198W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-HSOF-5-1 封装/外壳: 5-PowerSFN

FF1MR12KM1HSHPSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 395A（Tc） 底座安装 AG-62MMHB

技术: 碳化硅（SiC） 配置: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 1200V（1.2kV） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 395A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.2 毫欧 @ 560A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.15V @ 224mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1600nC @ 18V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 48400pF @ 800V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: AG-62MMHB

FF1MR12KM1HHPSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: MOSFET - 阵列

技术: - FET 功能: -

FF1MR12KM1HPHPSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: MOSFET - 阵列

技术: - FET 功能: -

BSC094N06LS5ATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 47A（Tc） 36W（Tc） PG-TDSON-8-6

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.4 毫欧 @ 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 14µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9.4 nC @ 4.5 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1300 pF @ 30 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 36W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TDSON-8-6 封装/外壳: 8-PowerTDFN

S70KL1282GABHB023

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器

简介: PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 128Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA（6x8）

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 易失 存储器格式: PSRAM 技术: PSRAM（伪 SRAM） 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: HyperBus 时钟频率: 200 MHz 写周期时间 - 字，页: 35ns 访问时间: 35 ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 24-VBGA 供应商器件封装: 24-FBGA（6x8）

FS20R06W1E3B11BOMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

简介: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 600 V 35 A 135 W 底座安装 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 35 A 功率 - 最大值: 135 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，20A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.1 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块