INFINEON TECHNOLOGIES
FS20R06W1E3BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
简介: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 600 V 35 A 135 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 35 A
功率 - 最大值: 135 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，20A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.1 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
CY8C4148AZQ-S453
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
简介: ARM® Cortex®-M0+ null 微控制器 IC 32-位 48MHz 256KB（256K x 8） 闪存 100-TQFP（14x14）
DigiKey 可编程: 未验证
核心处理器: ARM® Cortex®-M0+
内核规格: 32-位
速度: 48MHz
连接能力: FIFO，I2C，IrDA，LINbus，Microwire，QSPI，智能卡，SPI，SSP，UART/USART
外设: 掉电检测/复位，CapSense，DMA，LCD，LVD，POR，PWM，温度传感器，WDT
I/O 数: 38
程序存储容量: 256KB（256K x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 32K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
数据转换器: A/D 16x10b SAR，16x12b 三角积分; D/A 2x7/8b
振荡器类型: 外部，内部
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 100-TQFP（14x14）
封装/外壳: 100-LQFP
TLE7268SKXUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 接收器/发送器/收发器
简介: 半 收发器 2/2 LIN PG-DSO-14
类型: 收发器
协议: LIN
驱动器/接收器数: 2/2
双工: 半
接收器滞后: 200 mV
数据速率: 20kbps
电压 - 供电: 5.5V ~ 18V
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: PG-DSO-14
CY7C65210-24LTXIT
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 接口电路 / 其他接口电路
简介: USB 控制器 USB 2.0 I2C 接口 24-QFN（4x4）
DigiKey 可编程: 未验证
协议: USB
功能: 控制器
接口: I2C
标准: USB 2.0
电压 - 供电: 1.71V ~ 5.5V
电流 - 供电: 20mA
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 24-UFQFN 祼焊盘
供应商器件封装: 24-QFN（4x4）
SPD04N80C3ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 800 V 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.3 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 570 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 63W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPP60R360P7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 通孔 N 通道 650 V 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 360 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 555 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 41W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
SN7002NH6327XTSA2
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.8V @ 26µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 45 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 360mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IKW75N60TFKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
简介: IGBT 沟槽型场截止 600 V 80 A 428 W 通孔 PG-TO247-3-1
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，75A
功率 - 最大值: 428 W
开关能量: 4.5mJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 470 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 33ns/330ns
测试条件: 400V，75A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr): 121 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: PG-TO247-3-1
BSC0909NSATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 34 V 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PG-TDSON-8-5
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 34 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1110 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），27W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-5
封装/外壳: 8-PowerTDFN
PVT212PBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 继电器 / 固体继电器
简介: 固态 光电耦合继电器（光继电器） SPST-NO（1 Form A） 6-DIP（0.300，7.62mm）
安装类型: 通孔
继电器类型: 光电耦合继电器（光继电器）
电路: SPST-NO（1 Form A）
输出类型: AC，DC
电压 - 输入: 1.2VDC
电压 - 负载: 0 V ~ 150 V
负载电流: 550 mA
导通电阻（最大值）: 750 mOhms
端接样式: PC 引脚
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 6-DIP（0.300，7.62mm）
供应商器件封装: 6-DIP
认证机构: UL
等级: -
资质: -