INFINEON TECHNOLOGIES
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1160 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-262
封装/外壳: TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
BTS5090-2EKA
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 电源开关 IC - 配电 PROFET +12V Smart Hi Side Pwr SW Dual
BTS50902EKAXUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 电源开关 IC - 配电 PROFET +12V Smart Hi Side Pwr SW Dual
