INFINEON TECHNOLOGIES
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.8V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 69 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 360mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 3.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 660 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
MMBT2222ALT1XT
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
MMBT2222ALT1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类:
数据:
简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A