INFINEON TECHNOLOGIES

BAS4004E6433HTMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 120mA(DC) 表面贴装型 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

二极管配置: 1 对串行连接 技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 120mA(DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 100 ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 30 V 工作温度 - 结: 150°C(最大) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BAS4004E6327HTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 120mA(DC) 表面贴装型 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

二极管配置: 1 对串行连接 技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 120mA(DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 100 ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 30 V 工作温度 - 结: 150°C(最大) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

BAS40-04B5003

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 120mA(DC) 表面贴装型 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

二极管配置: 1 对串行连接 技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 120mA(DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 100 ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 30 V 工作温度 - 结: 150°C(最大) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23

CY9AF421LPMC1-G-JNE2

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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简介: ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9A420L 微控制器 IC 32-位 40MHz 64KB(64K x 8) 闪存 64-LQFP(10x10)

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: ARM® Cortex®-M3 内核规格: 32-位 速度: 40MHz 连接能力: CANbus,CSIO,I2C,LINbus,UART/USART 外设: LVD,POR,WDT I/O 数: 51 程序存储容量: 64KB(64K x 8) 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 8K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 8x12b; D/A 1x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 105°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 64-LQFP(10x10) 封装/外壳: 64-LQFP

CY8C28445-24PVXI

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: 8位微控制器 -MCU 16K Flash 1K SRAM PSoC 1

CY8C28445-24PVXIT

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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数据:

简介: 8位微控制器 -MCU 16K Flash 1K SRAM PSoC 1

S27KS0642GABHA020

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: 动态随机存取存储器 SPCM

S27KS0642GABHA023

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: 动态随机存取存储器 SPCM

IMZ120R090M1HXKSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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简介: 通孔 N 通道 1200 V 26A(Tc) 115W(Tc) PG-TO247-4-1

FET 类型: N 通道 技术: SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss): 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V,18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 117 毫欧 @ 8.5A,18V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.7V @ 3.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC @ 18 V Vgs(最大值): +23V,-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 707 pF @ 800 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 115W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PG-TO247-4-1 封装/外壳: TO-247-4

BAT5405WH6327XTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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简介: 二极管阵列 1 对共阴极 30 V 200mA(DC) 表面贴装型 SC-70,SOT-323

二极管配置: 1 对共阴极 技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 200mA(DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 5 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V 工作温度 - 结: 150°C(最大) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: PG-SOT323