INFINEON TECHNOLOGIES

BAS16E6327HTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

简介: 二极管 80 V 250mA 表面贴装型 PG-SOT23

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V 电流 - 平均整流 (Io): 250mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23 工作温度 - 结: 150°C(最大)
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 4500 V 电流 - 平均整流 (Io): 1630A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.6 V @ 2500 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 mA @ 4500 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: DO-200AD 供应商器件封装: - 工作温度 - 结: -40°C ~ 140°C

D1461S45TXPSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件

简介: 二极管 1720A 底座安装 BG-D10026K-1

技术: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 1720A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 mA @ 4500 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: DO-200,变体 供应商器件封装: BG-D10026K-1 工作温度 - 结: -40°C ~ 140°C

FS25R12W1T4B11BOMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

简介: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 45 A 205 W 底座安装 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 45 A 功率 - 最大值: 205 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.45 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

FS35R12W1T4B11BOMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管

简介: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 65 A 225 W 底座安装 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 65 A 功率 - 最大值: 225 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 2 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

T640N14TOFXPSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: SCR 模块 1.8 kV 1250 A 单路 钳式 DO-200AA,A-PUK

结构: 单路 SCR 数,二极管: 1 SCR 电压 - 断态: 1.8 kV 电流 - 通态 (It (AV))(最大值): 644 A 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值): 1250 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值): 2.2 V 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值): 250 mA 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 9400A @ 50Hz 电流 - 保持 (Ih)(最大值): 300 mA 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 钳式 封装/外壳: DO-200AA,A-PUK

BCW68FE6327

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR

IKB15N65EH5ATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:

简介: 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY

IGB50N65S5ATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS

IGB20N65S5ATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS