INFINEON TECHNOLOGIES

IPD50N04S4-08

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S408ATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类:
数据:

简介: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

S25FS128SAGNFV100

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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简介: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O,QPI 133 MHz 8-WSON(5x6)

DigiKey 可编程: 未验证 存储器类型: 非易失 存储器格式: 闪存 技术: FLASH - NOR 存储容量: 128Mb 存储器组织: 16M x 8 存储器接口: SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率: 133 MHz 写周期时间 - 字,页: 2ms 电压 - 供电: 1.7V ~ 2V 工作温度: -40°C ~ 105°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-WDFN 祼焊盘 供应商器件封装: 8-WSON(5x6)

S25FS128SAGNFV103

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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简介: NOR闪存 Nor

S6E2C58H0AGV2000A

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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简介: ARM® Cortex®-M4F FM4 S6E2C5 微控制器 IC 32-位 200MHz 1MB(1M x 8) 闪存 144-LQFP(20x20)

DigiKey 可编程: 未验证 核心处理器: ARM® Cortex®-M4F 内核规格: 32-位 速度: 200MHz 连接能力: CANbus,CSIO,EBI/EMI,I2C,LINbus,SD,UART/USART,USB 外设: DMA,LVD,POR,PWM,WDT I/O 数: 120 程序存储容量: 1MB(1M x 8) 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 128K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 24x12b; D/A 2x12b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 125°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 144-LQFP(20x20) 封装/外壳: 144-LQFP

TLE4964-5M

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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简介: 板机接口霍耳效应/磁性传感器 MAGNETIC SENSOR ICS

TLE49645MXTSA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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数据:

简介: 板机接口霍耳效应/磁性传感器 MAGNETIC SENSOR ICS

TLE49645MXTMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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简介: 板机接口霍耳效应/磁性传感器 POSITION SENS ATV

IR25604STRPBF

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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简介: 半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC

DigiKey 可编程: 未验证 驱动配置: 半桥 通道类型: 独立式 驱动器数: 2 栅极类型: IGBT,MOSFET(N 沟道) 电压 - 供电: 10V ~ 20V 逻辑电压 - VIL,VIH: 0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 200mA,350mA 输入类型: 非反相 高压侧电压 - 最大值(自举): 600 V 上升/下降时间(典型值): 150ns,50ns 工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 供应商器件封装: 8-SOIC

BSC0911NDATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
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简介: MOSFET N-Ch 25V 40A TISON-8